無(wú)錫221BGA-0.5P導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試（Test）

2. 半導(dǎo)體測(cè)試（工藝方面）：Wafer Test/Package Test/Module Test

從工藝步驟的角度看，半導(dǎo)體測(cè)試可分為晶圓測(cè)試（Wafer Test）、封裝測(cè)試（Package Test）、模組測(cè)試（Module Test）；從功能角度看，可分為直接測(cè)試DC(Direct Current)/AC（Alternating Current）/Function/實(shí)際測(cè)試/可靠性測(cè)試等。Wafer Test包括許多基本測(cè)試項(xiàng)目，用于驗(yàn)證Fab工藝中制造的集成半導(dǎo)體電路是否正常工作。把很細(xì)的針貼在芯片基板上輸入電信號(hào)后，通過(guò)比較和測(cè)量電路產(chǎn)生的電學(xué)特性終判定（Die Sorting）。從這里出來(lái)的不良晶體管(Tr）可以繞過(guò)，也可以用良品Tr代替。這是利用激光束（Laser Beam）進(jìn)行修補(bǔ)（Repair）制成良品芯片的方式。DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上繼承發(fā)展而來(lái)，其數(shù)據(jù)傳輸速度為DDR2的兩倍。無(wú)錫221BGA-0.5P導(dǎo)電膠

導(dǎo)電膠測(cè)試儀器介紹革恩半導(dǎo)體

英特爾平臺(tái)測(cè)試儀器介紹現(xiàn)有Skylake、Cannon Lake Y、ICE lake U、Tiger Lake U、Alder Lake S 平臺(tái)儀器已開(kāi)發(fā)或開(kāi)發(fā)中。

1. Skylake-U Based Memory Tester (DRAM Test MB)-BIOS Source (AMI-bios)-DDR4 x8 78B, x16 96B-Memory Over Clocking Test -2133MHz(LPDDR3)-LPDDR3 256B, 178B, 221B, 216B, 253B-Variable Voltage VDD1, VDD，VDDQ

2. Cannon Lake Y Memory Tester(DRAM Test MB)標(biāo)項(xiàng)-BIOS Source (AMI-bios)-LPDDR4，LPDDR4X ＊4EA-LPDDR4(X)32(2CS) 4 Channel -Variable Voltage VDD1, VDD2，VDDQ，measer 4pin con＊3EA

3. ICE lake U Based Memory Tester (DRAM Test MB)-BIOS Source (AMI-bios)-LPDDR4(X) x32(2CS)4 Channel- Clocking Test -2133MHz(LPDDR3)-Variable Voltage VDD1, VDD2,VDDQ MEASER 4PIN CON x3EA

4. Tiger Lake U Memory Tester (DRAM Test MB)標(biāo)項(xiàng)CON x3EA5. Alder lake U Based Memory Tester (DRAM5 UDIMM Test MB)-BIOS Source (AMI-bios)--Memory Over Clocking Test -2133MHz(LPDDR3)--Variable Voltage VDD1, VDD

#Rubber Socket# #LPDDR測(cè)試 導(dǎo)電膠# #DDR測(cè)試 導(dǎo)電膠#湖州DDRX4測(cè)試導(dǎo)電膠“iSC-5G”是目前正在商用化的28GHz以上高頻5G系統(tǒng)半導(dǎo)體用測(cè)試座。5G高頻市場(chǎng)正受到進(jìn)入商用化階段。

DDR存儲(chǔ)器有什么特性？

一：工作電壓低采用3.3V的正常SDRAM芯片組相比，它們?cè)陔娫垂芾碇挟a(chǎn)生的熱量更少，效率更高。DDR1、DDR2和DDR3存儲(chǔ)器的電壓分別為2.5、1.8和1.5V

二：延時(shí)小存儲(chǔ)器延時(shí)性是通過(guò)一系列數(shù)字來(lái)體現(xiàn)的，如用于DDR1的3-4-4-8或2-2-2-5、2-3-2-6-T1、。這些數(shù)字表明存儲(chǔ)器進(jìn)行某一操作所需的時(shí)鐘脈沖數(shù)，數(shù)字越小，存儲(chǔ)越快。延時(shí)性是DDR存儲(chǔ)器的另一特性。

三：時(shí)鐘的上升和下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)DDR存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。比如，在DDR200器件中，數(shù)據(jù)傳輸頻率為200MHz，而總線速度則為100MHz。

導(dǎo)電膠特點(diǎn)：

DDR測(cè)試 導(dǎo)電膠導(dǎo)電膠（Silicon Roover socket)座子是改善了傳統(tǒng)半導(dǎo)體檢測(cè)用座子市場(chǎng)中主流使用的探針座子（Pogopin）的缺點(diǎn)。 比探針座子（Pogo Pin)薄，電流損耗小，電流通過(guò)速度快，在超高速半導(dǎo)體檢測(cè)時(shí)準(zhǔn)確性子損壞的風(fēng)險(xiǎn)小等特點(diǎn)。

可以廣泛應(yīng)用于邏輯芯片（AP, CPU, GPU, PMIC, RF, Sensor, Mixed signal）和存儲(chǔ)芯片（DDR,LPDDR,NAND,MCP)等測(cè)試領(lǐng)域.

革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域

測(cè)試設(shè)備

0.1 基于英特爾平臺(tái)開(kāi)發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，可并根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試。

0.2 基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。 現(xiàn)有P60、P90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開(kāi)發(fā)完成

0.3 高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備

#導(dǎo)電膠#針對(duì)存儲(chǔ)芯片測(cè)試座，導(dǎo)電膠Rubber Socket將成為測(cè)試座市場(chǎng)的主流。

「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點(diǎn)應(yīng)該知道：（8）Wafer測(cè)試&打包工程

晶圓測(cè)試工藝的四個(gè)步驟

3)維修和終測(cè)試（Repair&FinalTest）

因?yàn)槟承┎涣夹酒强梢孕迯?fù)的，只需替換掉其中存在問(wèn)題的元件即可，維修結(jié)束后通過(guò)終測(cè)試（FinalTest）驗(yàn)證維修是否到位，終判斷是良品還是次品。

4)點(diǎn)墨（Inking）

顧名思義就是“點(diǎn)墨工序”。就是在劣質(zhì)芯片上點(diǎn)特殊墨水，讓肉眼就能識(shí)別出劣質(zhì)芯片的過(guò)程，過(guò)去點(diǎn)的是實(shí)際墨水，現(xiàn)在不再點(diǎn)實(shí)際墨水，而是做數(shù)據(jù)管理讓不合格的芯片不進(jìn)行組裝，所以在時(shí)間和經(jīng)濟(jì)方面都有積極效果，完成Inking工序后，晶片經(jīng)過(guò)質(zhì)量檢查后，將移至組裝工序。高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。廣東半導(dǎo)體導(dǎo)電膠零售價(jià)

DDR存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。無(wú)錫221BGA-0.5P導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試（Test）

半導(dǎo)體測(cè)試工藝FLOW

為驗(yàn)證每道工序是否正確執(zhí)行半導(dǎo)體將在室溫（25攝氏度）下進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試主要包括Wafer Test、封裝測(cè)試、 模組測(cè)試。

Burn-in/Temp Cycling是一種在高溫和低溫條件下進(jìn)行的可靠性測(cè)試，初只在封裝測(cè)試階段進(jìn)行，但隨著晶圓測(cè)試階段的重要性不斷提高，許多封裝Burn-in項(xiàng)目都轉(zhuǎn)移到WBI（Wafer Burn-in）中。此外，將測(cè)試與Burn-in結(jié)合起來(lái)的TDBI（Test During Burn-in）概念下進(jìn)行Burn-in測(cè)試，正式測(cè)試在Burn-in前后進(jìn)行的復(fù)合型測(cè)試也有大量應(yīng)用的趨勢(shì)。這將節(jié)省時(shí)間和成本。模組測(cè)試（Module Test）為了檢測(cè)PCB（Printed Circuit Board)和芯片之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，在常溫下進(jìn)行直流（DC/ Direct Current）直接電流/電壓）/功能（Function）測(cè)試后，代替Burn-in，在模擬客戶實(shí)際使用環(huán)境對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，無(wú)錫221BGA-0.5P導(dǎo)電膠

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，各種專業(yè)設(shè)備齊全。在革恩半導(dǎo)體近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌GN等。公司不僅提供專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開(kāi)發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開(kāi)發(fā)完成及開(kāi)發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)，同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片，DDR測(cè)試、LPDDR測(cè)，內(nèi)存測(cè)試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。

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